专业中低压MOSFET半导体器件生产制造商 全国咨询热线:13530005572      泽水晶源-微信客服一扫码咨询 泽水晶源-微信客服二扫码咨询

您当前位置:首页 > 新闻中心 > 技术文章

具有两个栅极的新型晶体管优势明显

发布时间:2022-05-20

英国莎莉大学的研究者已经开发出了新的晶体管。 这个晶体管具有线性特性,有很大的优点。

传统的MOSFET晶体管是大多数现代电子产品的基本组件,但不是完美的器件。 首先,这些是非线性器件,设计和分析变得复杂。 另外,在这些晶体管中,器件的数字和模拟工作由施加到栅电极的电压控制。

数字上,电压是用来接通或断开晶体管的。 在模拟意义上,栅极电压,更具体地说,从栅极到源极的电压具有跨导和增益等许多特性。

为了消除MOSFET晶体管的非理想性,莎莉大学的研究者设计了新的晶体管。 新晶体管被称为多模式晶体管Multimodal Transistor (MMT ),其创新的布局提供了巨大的上行链路潜力。

在其基本结构中,MMT由源极、漏极和两个控制栅极(CG1和CG2 )四个端子(主体除外)组成。 与以往的MOSFET一样,源极和漏极由半导体材料隔开,控制栅极由绝缘层隔开。

CG1位于源电极上方,用于控制注入电荷量(即电流量)。 沟道控制栅极CG2位于源极/漏极间隙的上方,在源极/漏极之间切换半导体的导通状态。 

该体系结构的独特之处在于,CG1专门控制电流电平,CG2专门控制设备的开/关状态,而不影响电流的大小。 该功能结合了模拟注入和数字开关,使该装置非常灵活。

晶体管作为线性器件

这个成果发表在《Advanced Intelligent Systems》年。 因为MMT代表线性器件晶体管,所以这项研究非常重要。 这意味着输出和输入之间有线性依赖关系。 这种能力为工程师提供了前所未有的设计自由度,可能会导致更简单的设计,需要更少的分析和更少的晶体管。 更少的晶体管意味着更少的面积和更高的成品率。

研究人员还指出,该器件对开关速度和过程变化的容忍度提高了10倍。 另外,MMT的模拟/数字多功能性给薄膜技术带来了新的机会,如用于边缘集成处理的紧凑电路和高能效的模拟计算等。

mosfet驱动芯片:https://www.zg886.cn/

半导体器件:https://www.zg886.cn/

上一条:半导体包括哪些电子元器件

下一条:垂直结构晶体管为提高太赫兹雷达性能奠定了基础

返回列表
联系我们

业务咨询:13530005572

采购咨询:15112579390

服务热线:13530005572/ 15112579390

邮箱:service@zeshuispeakers.com

深圳办事处地址:深圳市龙岗区横岗街道联旺大厦510-511

热门产品
UV2301 UV2300 UV208T
资讯动态
公司新闻 行业资讯
其他栏目
关于我们 免费试用 联系我们
泽水晶源-微信客服一业务咨询 泽水晶源-微信客服二业务咨询
深圳市泽水商贸有限公司,mosfet驱动芯片,半导体器件,备案号:粤ICP备15007128